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高端半导体制造中必要的缺陷检测装置 采用非破坏、非接触的方式，测量抛光后300 mm硅晶圆近表面层缺陷、异物和雾度 在测量过程中，可监测和记录表面的散射图像 检测缺陷尺寸10nm~30nm
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